RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
59
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link