RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
74
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1344
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
SK Hynix HYMP564U64CP8-C4 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link