RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
74
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
74
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1344
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link