RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
106
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
106
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link