RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3155
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link