RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3155
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link