RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link