RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link