RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link