RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link