RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2830
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link