RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3168
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link