RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против AMD R748G2606U2S 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 61
    Около 61% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
AMD R748G2606U2S 8GB Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 61
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2028

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
модули RAM
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
модули RAM