RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
81
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
81
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link