RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link