RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link