RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link