RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link