RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link