RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 29
    Около 17% меньшая задержка
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Причины выбрать
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.8 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3239

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
модули RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
модули RAM