RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link