RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3092
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link