RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link