RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link