RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2316
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link