RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 32
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2528

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
модули RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Jinyu 16GB
модули RAM