RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link