RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
MDT Technologies GmbH MDT 1GB DDR2-66 1GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link