RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3162
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link