RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link