RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link