RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link