RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link