RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link