RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link