RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link