RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3114
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link