RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2944
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link