RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3035
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link