RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3353
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link