RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link