RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link