RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link