RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link