RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3324
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link