RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3063
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link