RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link