RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3542
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link