RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4032
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link