RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4032
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link