RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link