RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link