RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link