RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link