RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link