RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3412
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link