RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link