RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3306
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link