RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link