RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3228
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link