RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3228
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link