RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2951
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link