RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4150
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link