RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link